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感应耦合等离子刻蚀 刻蚀代加工
来源: | 作者:半导体 | 发布时间: 2025-11-07 | 2 次浏览 | 分享到:
设备名称：感应耦合等离子刻蚀机(ICP) /英国牛津仪器，用途：刻蚀GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料

　　设备名称：感应耦合等离子刻蚀机(ICP) /英国牛津仪器

　　用途：刻蚀GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料

　　技术指标：

　　1. ICP离子源：0-3000W;RF射频源：0-600W

　　2. 刻蚀气体：Cl2、BCl3、Ar2、SF6、O2、CHF3

　　3. 样品尺寸：27*2英寸、6*4英寸、1*6英寸

　　3. 基底刻蚀温度： -20℃-80℃可调

　　4. 刻蚀均匀性：<±3%